Транзисторы для электронных компонентов

• Fair
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 540 mOhm
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1930 pF / 25 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• Fair
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Fair
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 25 В
• 140 A
• 10 MOhm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7900 pF / 25 V | Заряд затвора: 285 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fair
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8 A
• 0,8 Ohm
• 44 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1800 pF / 25 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• Fair
• TO-92
• 300 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 500
• THT

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 24ns | ...

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-126
• 45 V
• 4 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-220
• 80 V
• 2 А
• 50 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-251
• 100 V
• 8 А
• 1,75 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• 30 W
• 2000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 3 А
• 15 W
• 4000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 10 А
• 80 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92
• 30 V
• 1 А
• 0,625 W
• 30000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,3 А
• 0,35 W
• 10000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,3 А
• 0,35 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 15ns | ...

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92-3FORM
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92
• 100 V
• 0,8 А
• 5 W
• 10000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-264
• 600 V
• 160 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 345 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 175 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 23ns | ...