Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 175 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 23ns | ...

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 13 A
• 480 mOhm
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2055 pF / 25 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...