Транзисторы для электронных компонентов

• MDD
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 3 A
• 60mOhms
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 30 pF / 10 V | Заряд затвора: 4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• A&O
• Полевые P-канальные
• 2,4 A
• 3 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 15 A

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 3 A
• 80 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 240 pF / 25 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 3 A
• 60 В
• 1,6 W
• 20 В
• 20 A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 2,5 A
• 3 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 16 A

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 3 A
• 50 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 565 pF / 15 V | Заряд затвора: 15 nC / 15 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3 A
• 71 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 1mA | Ёмкость затвора: 153 pF / 10 V | Заряд затвора: 2 nC / 4 V | Диапазон номинальных напряжений...

• TOS
• ITO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 3 A
• 5 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 740 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 3 A
• 4,8 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 590 pF / 25 V | Заряд затвора: 22.7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 3 A
• 3,5 Ohm
• 80 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 575 pF / 25 V | Заряд затвора: 22.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 3 A
• 2,7 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NEC
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 20 В
• 3 A
• 7 Ohm
• 50 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 470pF / 10 V

• NCE
• SOT-89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 3 A
• 160 mOhm
• 1.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 24 pF / 50 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• MAT
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 3 A
• 3,2 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 1mA | Ёмкость затвора: 730 pF / 25 V

• Isc
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 5 Ohm
• 90 W
• …+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 110 pF

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 10mA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V

• Crmicro
• TO-3PH
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 30 В
• 3 A
• 6,5 Ohm
• 32 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 98 pF / 25 V | Заряд затвора: 37.6 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 1200 V
• 30 В
• 3 A
• 6 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1006 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.7 nC / 10 V

• AOS
• TSOP6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 3 A
• 50 mOhm
• 1.15 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 15 V | Заряд затвора: 5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 3 A
• 95 mOhm
• 1.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 215 pF / 15 V | Заряд затвора: 8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 1,89 A
• 3 A
• 800 В
• 80 W
• 30 В
• 12 A
• 22,5

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1,9 A
• 3 A
• 800 В
• 39 W
• 30 В
• 12 A
• 13

• Diotec
• Полевые P-канальные
• 3 A
• 30 В
• 0,5 W
• 12 В

• Mitsubishi
• Полевые N-канальные
• 3 A
• 500 В
• 25 W
• 30 В
• 9A