Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 300 V
• 1 А
• 120
• …+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 350

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• -65…+200°C

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 1 А
• 40
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 80 V
• 1 А
• 150
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 80 V
• 1 А
• 75
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• China
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,5 А

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-39
• 120 V
• 2 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• TO-39
• 200 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.6 A
• 150
• THT

• Биполярные NPN
• TO-39
• 65 V
• 120 V
• 1.0 А
• THT