Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 280 W

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 49ns | ...

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,4 Ohm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 160 A
• 3,2 mOhm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 944 pF / 30 V | Заряд затвора: 139 nC / 10 V

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 29 A
• 46 A
• 200 В
• 280 W
• 20 В
• 180 A
• 230

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 16 A
• 600 В
• 280 W
• 20 В
• 64 A
• 210

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 13,2 A
• 22 A
• 500 В
• 280 W
• 30 В
• 88 A
• 45,6

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 16 A
• 600 В
• 280 W
• 20 В
• 64 A
• 120

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 200 A
• 60 В
• 280 W
• 20 В
• 120

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 134 A
• 100 В
• 280 W
• 20 В
• 120

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 20 A
• 500 В
• 280 W
• 20 В
• 80 A
• 120

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 500 В
• 280 W
• 30 В
• 110

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 23 A
• 400 В
• 280 W
• 20 В
• 92 A
• 110

• IGBT
• Crmicro
• TO-3P
• 600 V
• 1.9 V
• 80 A
• 40 A
• 280 W