Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Crmicro
• TO-3P
• 600 V
• 1.9 V
• 80 A
• 40 A
• 280 W

• 160 A
• Crmicro
• TO-220
• 93 A
• 22 нс
• 63 нс
• 100 В
• 25 В
• 588 A
• 280 W
• 0,0052 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 135 | Маркировка: CRTT067N10N

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 49ns | ...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 160 A
• 3,2 mOhm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 944 pF / 30 V | Заряд затвора: 139 nC / 10 V