Транзисторы для электронных компонентов. Бренд FUJI

• Биполярные NPN
• FUJI
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 5 А
• 10
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 900

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 10mA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V