Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 42 W

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 600 V
• 16 А
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 15 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 68ns | ...

• VISH/IR
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 50 V
• 20 В
• 9,9 A
• 280 mOhm
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 490 pF / 25 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-252(DPAK)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 14 A
• 44 mOhm
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1550 pF / 20 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 8,83 A
• 300 mOhm
• 42 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 420 pF / 25 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 2 A
• 2,7 Ohm
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 290pF / 0 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 16 В
• 30 A
• 9 mOhm
• 42 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 13µA | Ёмкость затвора: 1520 pF / 15 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 20 A
• 3,2 Ohm
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.6 V / 250µA | Ёмкость затвора: 824 pF / 25 V | Заряд затвора: 17.4 nC / 15 V

• Vishay
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 100 В
• 31 A
• 10 В
• 42 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 7.7 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 4.9 | Полный...

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 2,4 A
• 500 В
• 42 W
• 20 В
• 19

• Niko-Sem
• Полевые N-канальные
• 25 A
• 40 A
• 40 В
• 42 W
• 20 В
• 85 A
• 23

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 3,6 A
• 5,6 A
• 100 В
• 42 W
• 20 В
• 22 A
• 18

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 3 A
• 4,8 A
• 200 В
• 42 W
• 20 В
• 19 A
• 14

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 2,4 A
• 500 В
• 42 W
• 20 В
• 19

• BRIDGELUX
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 18 A
• 500 В
• 42 W
• 30 В
• 72 A
• 45

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 5,6 A
• 8,8 A
• 60 В
• 42 W
• 20 В
• 35 A
• 19

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,3 A
• 2 A
• 600 В
• 42 W
• 20 В
• 8 A
• 18

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,3 A
• 2 A
• 600 В
• 42 W
• 20 В
• 8 A
• 18

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 18 A
• 100 В
• 42 W
• 20 В
• 62,7

• A&O
• Полевые N-канальные
• 19 A
• 27 A
• 100 В
• 42 W
• 25 В
• 110 A
• 28

• A&O
• Полевые N-канальные
• 59 A
• 85 A
• 30 В
• 42 W
• 20 В
• 180 A
• 24

• Diodes Incorporated
• Полевые P-канальные
• 5,5 A
• 9 A
• 100 В
• 42 W
• 20 В
• 15 A
• 8,4

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 9,9 A
• 50 В
• 42 W
• 20 В
• 8,4

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 37 A
• 40 A
• 30 В
• 42 W
• 20 В
• 280 A
• 42