Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 290 W

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 24ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 25ns | ...

• ONS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 30 В
• 38,4 A
• 85 mOhm
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 4400 pF / 25 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 183 A
• 3,5 mOhm
• 290 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 10150 pF / 25 V | Заряд затвора: 270 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 75 A
• 2,4 mOhm
• 290 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 150µA | Ёмкость затвора: 6320 pF / 25 V | Заряд затвора: 240 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• TO-3P
• Другое
• 500 В
• 96 A
• 30 В
• 290 W
• THT
• 80 нс
• 200 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 24: | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 15.2 | Полный...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 19 A
• 30 A
• 400 В
• 290 W
• 30 В
• 120 A
• 120

• IGBT
• Fairchild
• TO-247
• 600 V
• 1.8 V
• 70 A
• 40 A
• 290 W

• IGBT
• Fairchild
• TO-220
• 600 V
• 1.8 V
• 70 A
• 40 A
• 290 W