Транзисторы для электронных компонентов. Hfe 10

• Биполярные NPN
• FUJI
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 5 А
• 10
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 900

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• 800 V
• 6 А
• 10
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• 10
• 1 A
• 0,9 Вт
• 160 V
• 160 V
• 6 V
• Fairchild
• Биполярные PNP
• 50 МГц

• Hc
• Биполярные NPN
• 5 A
• 80 Вт
• 550 V
• 900 V
• 7 V
• 6 МГц
• 10

• Hitachi
• Биполярные NPN
• 6 A
• 50 Вт
• 800 V
• 1700 V
• 6 V
• 15 МГц
• 10

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 5 A
• 36 Вт
• 500 V
• 1000 V
• 9 V
• 10