Транзисторы для электронных компонентов

• On Semiconductor
• 8-PQFN (5x6)
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 100 А
• 2 ... 4 V
• 104 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Silan
• TO247
• IGBT + Diode
• 650 V
• 50 А
• 100 А
• 416 Вт
• 37.5 нс (typ)

Примечание: Макс. ток коллектора (25°C): 100 А

• International Rectifier
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 100 А
• 63 А
• 3.2 мОм
• 0.5 ... 1.1 V
• 4.2 мОм
• 0.8 V
• 63 W
• 4.8e-8

• Vbsemi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 V
• 100 А
• 70 А
• 3 ... 5 V
• 375 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vbsemi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 100 А
• 75 А
• 9 мОм
• 20 мОм
• 2 ... 4 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Ubiq
• DFN5X6
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 90 А
• 1.8 мОм
• 2.5 мОм
• 1.5 ... 2.5 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NCE
• TO-263-2
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 100 А
• 70.7 А
• 2.5 ... 4.5 V
• 300 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• CET
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 4.2 мОм
• 6 мОм
• 1 ... 3 V
• 100 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 120 V
• 20 V
• 100 А
• 63 А
• 5.5 мОм
• 7.5 мОм
• 1.2 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 100 А
• 63 А
• 6.2 мОм
• 8 мОм
• 1.2 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 128 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• PQFN 5X6 mm
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 100 А
• 1.55 мОм
• 2.4 мОм
• 1.35 ... 2.35 V
• 1.8 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 100 А