Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• China
• TO-247
• 600 V
• 2.3 V
• 80 A
• 40 A

• Полевые N-канальные
• China
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1700

• Биполярные PNP
• China
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,5 А

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• China
• THT
• TO-3PML
• 5 А

• China
• Полевые P-канальные
• 30 A
• 45 A
• 40 В
• 50 W
• 20 В
• 90 A
• 40

• China
• Биполярные NPN
• 1,5 A
• 0,9 Вт
• 30 V
• 30 V
• 5 V
• 120 МГц
• 100..320

• Биполярные NPN
• China
• SOT-223
• 900 MHz
• 9.5 V
• 20 V
• SMD

• IGBT
• China
• TO-247
• 1200 V
• 2.78 V
• 45 A
• 24 A
• 200 W

• Биполярные NPN
• China
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 10 A
• 1000

• IGBT
• China
• TO-247AC
• 1200 V
• 2.74 V
• 30 A
• 15 A
• 160 W