Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные PNP
• Philips
• SOT-223
• 114 MHz
• 80 V
• 100 V
• 1.0 А
• 250

• Биполярные PNP
• Cj
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 6 А

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Биполярные NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT223
• Биполярные PNP
• 80 V
• 100 V
• 1 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1.5 Вт
• 100 - 250
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные NPN
• Cj
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 5 A
• 1000

• Биполярные PNP
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 6 А

• Биполярные PNP
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 8.0 А

• Биполярные PNP
• ARC
• SOT-32
• 100 V
• 100 V
• 4.0 А
• 750

• Биполярные PNP
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 20000

• 8 A
• Onsemi
• D2Pak (TO-252)
• 100 V
• 50 V
• 6 V
• 330 МГц
• 200..560
• Биполярные NPN

• 15 A
• Crmicro
• CDIL
• 100 V
• 60 V
• 7 V
• 2.5 МГц
• 20..70
• Биполярные NPN

• DPAK
• Биполярные NPN
• 50 V
• 100 V
• 10 А
• 6 V
• 200 MHz
• 20 Вт
• 200 - 700
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-220F
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 15 - 75
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-247
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 20 А
• 5 V
• 4 MHz
• 160 Вт
• 750 - 18000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-220
• Биполярные PNP
• 100 V
• 100 V
• 6 А
• 5 V
• 3 MHz
• 65 Вт
• min 15
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 15 А
• 5 V
• 4 MHz
• 85 Вт
• min 250
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Биполярные PNP
• 100 V
• 100 V
• 6 А
• 5 V
• 3 MHz
• 1.25 Вт
• 15 - 75
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 6 А
• 5 V
• 3 MHz
• 1.25 Вт
• 15 - 75
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-220F
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• SOT23-5 Thin
• Биполярные NPN + PNP
• 50 V
• 100 V
• 3 А
• 6 V
• 380 MHz
• 1.2 Вт
• 200 - 560
• SMD

Примечание: Схема соединения: Общий эмиттер

• NXP Semiconductors
• SOT1205
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 3 А
• 7 V
• 140 MHz
• 25 Вт
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые