Транзисторы для электронных компонентов. Корпус DPAK-3

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• ONS
• DPAK-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,1 A
• 2 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 640 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• DPAK-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 15 В
• 20 A
• 48 mOhm
• 1.36 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 990 pF / 25 V | Заряд затвора: 32 nC / 5 V | Диапазон номинальных...