Транзисторы для электронных компонентов

• 100 MHz
• 0.8 A
• 50 V
• 45 V
• Lge
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Биполярные NPN
• Lge
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 8 А
• 12000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Lge
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 0,6 А
• 180
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• Биполярные NPN
• Lge
• THT
• TO-3PN
• 160 V
• 12 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• Lge
• TO-92
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 800
• THT

• Биполярные NPN
• Lge
• TO-92
• 50 MHz
• 300 V
• 300 V
• 0.1 A
• 40

• Биполярные NPN
• Lge
• TO-92
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.8 A
• 630

• Биполярные NPN
• Lge
• TO-225
• 3 MHz
• 80 V
• 100 V
• 2.0 А
• THT