Транзисторы для электронных компонентов. Страница 4

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• Umw
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 18 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2928 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 180 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 680 pF / 30 V | Заряд затвора: 67 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4,2 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6772 pF / 50 V | Заряд затвора: 90 nC / 50 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 6,5 mOhm
• 164 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 790 pF / 42.5 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 15 A
• 7,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 6400 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5,8 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 64 A
• 4,5

• Hooyi
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 120 A
• 60 В
• 188 W
• 25 В
• 380 A
• 96

• IGBT

• Другое

• IGBT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220FP
• 600 V
• THT
• 10 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 180 A

• Полевые N-канальные
• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1570

• Биполярные NPN
• TO-92
• 300 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.2 A
• 300
• THT

• Биполярные NPN
• Panasonic
• TO-92
• 150 MHz
• 20 V
• 40 V
• 5.0 А
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• Биполярные NPN
• Diotec
• TO-92
• 210 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.8 A
• 630
• THT

• Биполярные NPN
• Fujitsu
• TO-3PN
• 400 V
• 500 V
• 15 A
• 10
• THT

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor