Транзисторы для электронных компонентов. Страница 4

• Luguang Electronic
• Полевые N-канальные
• 7,6 A
• 12 A
• 650 В
• 33,2 W
• 30 В
• 48 A
• 50,5

• A&O
• Полевые N-канальные
• 115 A
• 150 A
• 30 В
• 83 W
• 20 В
• 340 A
• 64

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• есть
• 235 нс
• 60 А

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,6 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 60 V
• 6 V
• 250 МГц
• 40..500

• Yangjie
• Биполярные PNP
• 1,5 A
• 0,3 Вт
• 25 V
• 40 V
• 5 V
• 100 МГц
• 120..350

• Umw
• Другое

• A&O
• Полевые P-канальные
• 28 A
• 40 A
• 40 В
• 62,5 W
• 20 В
• 50 A
• 31,4

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 15 A
• 1,7 V
• 96 Вт
• 59
• 45 А
• есть
• 45 нс
• 40 А
• 30 нс
• 47 н

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 7 A
• 100 В
• 17 W
• 20 В
• 10 A
• 52

• Другое

• Другое

• IGBT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 600 V
• THT
• 4 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 40 V
• THT
• 202 A

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Не указан
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,4 A
• 3,6 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 25 V | Заряд затвора: 11.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 95 A
• 8 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6800 pF / 25 V | Заряд затвора: 109.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 200 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE