Транзисторы для электронных компонентов. Страница 4

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 28 mOhm
• 95 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 719 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• MDD
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• Другое

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

Примечание: низковольтный

Примечание: высоковольтный

Примечание: низковольтный

• NEC
• Биполярные PNP
• 2 A
• 1,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 80..200

• A&O
• Полевые N-канальные
• 8,5 A
• 10,5 A
• 30 В
• 3,1 W
• 20 В
• 500 A
• 15

• Yangjie
• Биполярные PNP
• 1,5 A
• 0,3 Вт
• 25 V
• 40 V
• 5 V
• 100 МГц
• 120..350

• Umw
• Другое

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 15 A
• 1,7 V
• 96 Вт
• 59
• 45 А
• есть
• 45 нс
• 40 А
• 30 нс
• 47 н

• Другое

• Другое

• Полевые N-канальные
• Umw
• SOT-23
• 50 V
• SMD
• 0.2 A

• Другое

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 600 V
• THT
• 4 A

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 12 А
• 20000
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 40 V
• THT
• 202 A

• Полевые N-канальные
• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1570

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 60 V
• THT
• 210 A
• 6540