Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 45 W

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 60 pF / 30 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,4 A
• 3,6 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 25 V | Заряд затвора: 11.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 130 pF / 25 V | Заряд затвора: 10.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 10 A
• 120 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 85 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 75 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 140 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 600 В
• 45 W
• 30 В
• 40 A
• 25

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220FULLPACK
• 600 V
• 17 А
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 50 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 40ns | ...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 68 pF / 30 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 80 A
• 5,5 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 52.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V

• TOS
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 12,5 A
• 470 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 1550 pF / 25 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 0,75 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 1350 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 3 A
• 2,7 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V

• ST
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 2,3 A
• 3,3 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 280 pF / 25 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 3,5 A
• 1,55 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 375 pF / 100 V | Заряд затвора: 8.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 3 A
• 2,7 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 2,3 A
• 3,3 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 280 pF / 25 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 12 A
• 175 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 25 V | Заряд затвора: 7.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Isc
• TO-220ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 15 A
• 0,18 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 1600 pF / 10 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 6 A
• 900 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 110µA | Ёмкость затвора: 350 pF / 500 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220AB
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 16 В
• 24 A
• 40 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 450 pF / 25 V | Заряд затвора: 15 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 0,8 A
• 9 Ohm
• 45 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 160 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TO-220F
• Другое
• 250 В
• 400 A
• 20 В
• 45 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 25 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 17.5 | Полный...