Транзисторы для электронных компонентов

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 60 pF / 30 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 600 В
• 45 W
• 30 В
• 80 A
• 48

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 68 pF / 30 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 12,6 A
• 20 A
• 600 В
• 45 W
• 30 В
• 80 A
• 39