Транзисторы для электронных компонентов. Корпус DPAK

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 6,5 mOhm
• 83 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2330 pF / 15 V | Заряд затвора: 51 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 60 pF / 30 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 200 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,4 A
• 3,6 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 25 V | Заряд затвора: 11.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 14 mOhm
• 80 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 370 pF / 20 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 18 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2928 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 16 В
• 25 A
• 35 mOhm
• 100 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1710 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 26 A
• 42 mOhm
• 63 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1760 pF / 75 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 10 A
• 120 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 85 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 80 A
• 8,5 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 290 pF / 30 V | Заряд затвора: 90 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 4 A
• 2,8 Ohm
• 75 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 564 pF / 10 V | Заряд затвора: 15.8 nC / 10 V

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 44 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 14 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 14 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время включения: 8.5ns |...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 18.5ns...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 125us

• IGBT
• Ir
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 39 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 19.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns |...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 650ns |...

• VISH/IR
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 22 A
• 600 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 390 pF / 25 V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 3,3 A
• 3 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 340 pF / 25 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 25,4 A
• 0,074 Ohm
• 5.9 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1735 pF / 50 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 10 A
• 160 mOhm
• 35 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 340 pF / 48 V | Заряд затвора: 6.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 1,5 A
• 4,8 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 590 pF / 25 V | Заряд затвора: 22.7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...