Транзисторы для электронных компонентов

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 200 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• HVMDIP
• Другое
• 60 В
• 8.8 A
• 20 В
• 1.3 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 1.1 | Полный заряд затвора, нКл: 12 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Vishay Intertechnology, Inc.
• DIP-4
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 10 V
• 1.7 А
• 1.2 А
• 0.2 Ом
• 1 ... 2 V
• 1.3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Umw
• SOT-23
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 V
• -3.7 А
• -2.2 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -0.95 V
• 80 мОм
• -0.55 V
• 1.3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT-23
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 V
• -5 А
• 30 мОм
• -0.4 ... -1 V
• 36 мОм
• -0.62 V
• 1.3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 10 В
• 1 A
• 540 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 250 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.1 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 4,5 A
• 40 mOhm
• 1.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 950mV / 250µA | Ёмкость затвора: 930 pF / 10 V | Заряд затвора: 17 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 4 A
• 50 mOhm
• 1.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 340 pF / 15 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...