Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 40 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 137 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• Ixys
• TO-220
• Другое
• 85 В
• 300 A
• 15 В
• 298 W
• THT

Примечание: Тип канала: P | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 96 | Полный заряд затвора, нКл: 180 | Сопротивление сток-исток при 10V...