Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 380 W

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 88ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 60 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 115 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 21ns | ...

• Ixys
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 300 mOhm
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 1.5mA | Ёмкость затвора: 1800 pF / 25 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ixys
• TO247-3
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 12 A
• 900 mOhm
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 6.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 3080 pF / 25 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-263-7
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 240 A
• 1,4 mOhm
• 380 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 10990 pF / 40 V | Заряд затвора: 180 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Infineon
• TO-263-7
• Другое
• 100 В
• 20 В
• 740 A
• 380 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 190 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 130 | Полный заряд...

• Ixys
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 500 В
• 380 W
• 30 В
• 40 A
• 36

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 340 A
• 40 В
• 380 W
• 20 В
• 160

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 56 A
• 200 В
• 380 W
• 20 В
• 150

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 270 A
• 60 В
• 380 W
• 16 В
• 91