Транзисторы для электронных компонентов

• Magnachip
• Полевые N-канальные
• 87 A
• 120 A
• 100 В
• 223 W
• 20 В
• 480 A
• 100

• On Semiconductor
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 50 А
• 100 А
• 20 V
• 85 нс (typ)
• 223 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 270 mOhm
• 223 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2942 pF / 25 V | Заряд затвора: 76 nC / 10 V | Диапазон номинальных...