Транзисторы для электронных компонентов. Uds 55 V

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 75 A
• 3450

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 74 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1700

• Полевые N-канальные
• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1570

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 41 A
• 1700

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220AB
• 55 V
• THT
• 89 A
• 3600

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 190 A
• 6,5 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4400 pF / 25 V | Заряд затвора: 189 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 130 pF / 25 V | Заряд затвора: 10.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 75 A
• 6,5 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3450 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 2 A
• 140 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 230 pF / 25 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 75 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 140 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 17 A
• 365

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 104 A
• 5000

• Полевые P-канальные
• Ir
• D-Pak
• 55 V
• SMD
• 11.0 А
• 350

• Полевые N-канальные
• China
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1700

• VISH/IR
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 25 A
• 37 mOhm
• 57 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 710 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 150 A
• 6 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4400 pF / 25 V | Заряд затвора: 190 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 100 A
• 6,5 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 4850 pF / 25 V | Заряд затвора: 136 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• I2PAK
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 80 A
• 8 mOhm
• 300 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 4350 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 15 В
• 60 A
• 15 mOhm
• 100 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1950 pF / 25 V | Заряд затвора: 56 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 12 A
• 175 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 25 V | Заряд затвора: 7.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• SO8
• SMD
• Другое
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 386 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V

• Nexperia
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 20,3 A
• 75 mOhm
• 62 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 483 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...