Транзисторы для электронных компонентов

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,28 A
• 5 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 0,28 A
• 60 В
• 0,3 W
• 20 В
• 1,5 A

• Microchip
• Полевые P-канальные
• 0,28 A
• 80 В
• 1 W
• 30 В
• 3A