Транзисторы для электронных компонентов. Страница 7

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 4,6 mOhm
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2300 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN

Примечание: J3Y, 10 шт.

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

Примечание: низковольтный

Примечание: высоковольтный

• Crmicro
• Полевые N-канальные
• 14,8 A
• 23 A
• 650 В
• 229 W
• 30 В
• 93 A
• 41

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 180 МГц
• 100

• Luguang Electronic
• Полевые N-канальные
• 7,6 A
• 12 A
• 650 В
• 33,2 W
• 30 В
• 48 A
• 50,5

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• есть
• 235 нс
• 60 А

• A&O
• Полевые N-канальные
• 28 A
• 40 A
• 30 В
• 25 W
• 20 В
• 100 A
• 20

• Magnachip
• Полевые N-канальные
• 38 A
• 47,6 A
• 30 В
• 35,7 W
• 20 В
• 100 A
• 14,6

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 0,19 A
• 0,3 A
• 60 В
• 0,35 W
• 20 В
• 0,4

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 409 A
• 40 В
• 375 W
• 20 В
• 300

• A&O
• Полевые P-канальные
• 4 A
• 5 A
• 20 В
• 1,5 W
• 8 В
• 30 A
• 11

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,85 V
• 403 Вт
• 117
• 180 А
• есть
• 152 нс
• 66 нс
• 80 н

• Hooyi
• Полевые N-канальные
• 66 A
• 80 A
• 68 В
• 115 W
• 25 В
• 320 A
• 84

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 18 A
• 650 В
• 30 W
• 25 В
• 72 A
• 29

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 7 A
• 100 В
• 17 W
• 20 В
• 10 A
• 52

• Другое

• IGBT

• IGBT

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 23 A

• Биполярные NPN
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 0.25
• 75
• THT