Транзисторы для электронных компонентов. Страница 7

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 74 A

• Полевые N-канальные

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 75 V
• THT
• 80 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 75 V
• THT
• 140 A

• Полевые N-канальные
• On
• TO-220
• 900 V
• THT
• 2.3 A
• 740

• Биполярные NPN
• TO-92
• 300 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.2 A
• 300
• THT

• Биполярные PNP
• Philips
• SOT-223
• 114 MHz
• 80 V
• 100 V
• 1.0 А
• 250

• Биполярные PNP
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 8.0 А

• Полевые N-канальные
• China
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1700

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.6 A
• 300
• SMD

• 1 A
• 50 V
• 45 V
• Diotec
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• Diotec
• 300 MHz
• 0.6 A
• 180 V
• 160 V
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Другое

• 25 A
• 100 V
• 100 V
• ST Microelectronics
• TO-218
• THT
• Биполярные NPN

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 32ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 125ns

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100