Транзисторы для электронных компонентов. Страница 7

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 180 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 680 pF / 30 V | Заряд затвора: 67 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 4 A
• 120 mOhm
• 1.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 85 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 6,5 mOhm
• 83 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2330 pF / 15 V | Заряд затвора: 51 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 20 A
• 5 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1037 pF / 15 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 4,6 mOhm
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2300 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 21 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 15 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 250
• 0.5 A
• 0.625 Вт
• 180 V
• 160 V
• 6 V
• Diotec
• Биполярные NPN
• 300 МГц

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• Биполярные PNP

Примечание: высоковольтный

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 8 A
• 80 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 4 МГц
• 18..40

• Luguang Electronic
• Биполярные PNP
• 8 A
• 1,5 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 100..12000

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 136 A
• 192 A
• 100 В
• 441 W
• 20 В
• 690 A
• 170

• Magnachip
• Полевые N-канальные
• 87 A
• 120 A
• 100 В
• 223 W
• 20 В
• 480 A
• 100

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• есть
• 235 нс
• 60 А

• Magnachip
• Полевые N-канальные
• 38 A
• 47,6 A
• 30 В
• 35,7 W
• 20 В
• 100 A
• 14,6

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 230 МГц
• 100

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 7 A
• 28 A
• 1,95 V
• 24 Вт
• 46
• есть
• 160 нс
• 28 А
• 30 нс
• 136 н

• Yangjie
• Биполярные PNP
• 1,5 A
• 0,3 Вт
• 25 V
• 40 V
• 5 V
• 100 МГц
• 120..350

• Ncepower
• Полевые N-канальные
• 105 A
• 150 A
• 30 В
• 130 W
• 20 В
• 660 A
• 38