Транзисторы для электронных компонентов. Страница 9

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 60
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Не указан
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 9,5 A
• 0,95 Ohm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 25 V

• Не указан
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 45 A
• 17 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 399 pF / 50 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 4,4 A
• 77 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 595 pF / 20 V | Заряд затвора: 21 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SOP-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 8,1 A
• 24 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1350 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 180 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 0,010 Ohm
• 136 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 470 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 4,2 A
• 40 mOhm
• 1.38 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 0.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 740 pF / 15 V | Заряд затвора: 10.6 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• TI

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 7,5 A
• 600 mOhm
• -55...+150°C

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 525 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 529 pF / 25 V | Заряд затвора: 16.9 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• SO8
• SMD
• Другое
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 386 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,95 A
• 200 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 200 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...