Транзисторы для электронных компонентов. Страница 9

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• IGBT
• ST

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 460
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 60
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Не указан
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 45 A
• 17 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 399 pF / 50 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 4,4 A
• 77 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 595 pF / 20 V | Заряд затвора: 21 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,8V / 4,5V

• Vishay

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 180 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Utc
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 108 A
• 5,3 mOhm
• 107 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 500 pF / 25 V | Заряд затвора: 310 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Umw

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 525 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 529 pF / 25 V | Заряд затвора: 16.9 nC / 10 V