Транзисторы для электронных компонентов. Страница 11

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2,8 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3120 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 1,7 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2994 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 4,6 mOhm
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2300 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• Биполярные NPN

Примечание: J3Y, 10 шт.

• Другое

• Другое

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 120 V
• 100 V
• 7 V
• 2 A
• 2 Вт
• 175 МГц
• 300

Примечание: Маркировка на корпусе: FTZ653

• Vishay
• TO-263 (D2PAK)
• Другое
• 100 В
• 56 A
• 20 В
• 88 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 14 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 10 | Полный...

• A&O
• TO-252
• Другое
• 500 В
• 17 A
• 30 В
• 104 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 5 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 3.1 |...

• Hooyi
• TO-220
• Другое
• 70 В
• 320 A
• 25 В
• 178 W
• THT
• 21 нс
• 25 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 80: | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 65 | Полный...

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• 0.05 A
• 0.5 Вт
• 100 МГц
• 430..600

Примечание: Комплементарная пара: KSC1845

• 0.5 А
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Биполярные PNP

Примечание: высоковольтный

• A&O
• Полевые P-канальные
• 12 A
• 12 A
• 40 В
• 50 W
• 20 В
• 30 A
• 13,8

• Diotec
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,5 Вт
• 30 V
• 30 V
• 5 V
• 150 МГц
• 150

• A&O
• Полевые P-канальные
• 9 A
• 12 A
• 40 В
• 3,1 W
• 20 В
• 120 A
• 42

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 8 A
• 80 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 4 МГц
• 18..40

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,48 V
• 254 Вт
• 165
• 45 А
• есть
• 300 нс
• 45 А
• 370 нс

• A&O
• Полевые N-канальные
• 15 A
• 25 A
• 30 В
• 15,5 W
• 20 В
• 50 A
• 18

• A&O
• Полевые P-канальные
• 18 A
• 29 A
• 30 В
• 25 W
• 25 В
• 80 A
• 18