Транзисторы для электронных компонентов. Страница 11

• Vbsemi
• SOP-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 7,3 A
• 0,035 Ohm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1350 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V

• Vbsemi

• Umw
• TO-252-2
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 15 A
• 114 mOhm
• 96 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 950 pF / 25 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,7 A
• 130 mOhm
• 250 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 226 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 3 A
• 80 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 240 pF / 25 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 18 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2928 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw

• TOS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 2200 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5 A
• 190 mOhm
• 20 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 630 pF / 10 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• TOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 214 A
• 3,2 mOhm
• 255 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 9000 pF / 40 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 4,9 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4810 pF / 50 V | Заряд затвора: 62 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 750 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 68 V
• 20 В
• 110 A
• 6,5 mOhm
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5850 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 7,5 A
• 600 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 13.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 14 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1700 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 190 A
• 6,5 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4400 pF / 25 V | Заряд затвора: 189 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 16 В
• 25 A
• 35 mOhm
• 100 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1710 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 130 pF / 25 V | Заряд затвора: 10.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 9 A
• 850 mOhm
• 44 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1030 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 25 В
• 27 A
• 70 mOhm
• 120 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 30 A
• 40 mOhm
• 79 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 945 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...