Транзисторы для электронных компонентов. Страница 11

• Биполярные NPN
• Fairchild
• TO-92
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.8 A
• 300
• THT

• Биполярные NPN
• Infineon
• SOT-23
• 100 MHz
• 65 V
• 80 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Полевые N-канальные
• Harris
• TO-220
• 60 V
• THT
• 50 A

• Полевые N-канальные
• On
• D-Pak (TO-252)
• 60 V
• SMD
• 20 A
• 675

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 150 MHz
• 25 V
• 40 V
• 0.5 A
• 350
• SMD

• Биполярные PNP
• Yangjie
• SOT-23
• 200 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.6 A
• 300

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.6 A
• 300
• SMD

• Биполярные PNP
• NEC
• TO-126
• 80 MHz
• 30 V
• 40 V
• 0.125
• 400

• Полевые P-канальные
• On
• TO-251
• 60 V
• THT
• 7.6 A
• 690

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220FP
• 600 V
• THT
• 0.25
• 905

• 1 A
• 50 V
• 45 V
• Diotec
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• 5..40
• 12 A
• 100 Вт
• 700 V
• 400 V
• 9 V
• Биполярные NPN
• 4 МГц

• 120..260
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 100 МГц

• 300
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Luguang Electronic
• Биполярные PNP
• 200 МГц

• On Semiconductor
• Другое

• Другое

Примечание: Тип канала N | Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В 600 | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А 9 | Максимальный ток...

• Другое

• 0.1 A
• 80 V
• 65 V
• Diotec
• Биполярные NPN
• 100 МГц

• 100..250
• 1.5 A
• 12,5 Вт
• 45 V
• 45 V
• 5 V
• Биполярные PNP
• 50 МГц

• Другое
• OSEN

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...