Транзисторы для электронных компонентов. Страница 54

• On Semiconductor
• SO8
• Биполярные NPN + PNP
• 40 V
• 40 V
• 3 А
• 7 V
• 100 MHz
• 0.783 Вт
• min 200
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SOT23-6
• Биполярные NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.6 Вт
• 160 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SOT1205
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 3 А
• 7 V
• 140 MHz
• 25 Вт
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SO8
• Биполярные NPN + PNP
• 60 V
• 60 V
• 6,7 А
• 5 V
• 110 MHz
• 2.3 Вт
• 75 - 500
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• MT
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -5 А
• 24 / 50 мОм
• 35 / 70 мОм
• 1 ... 3 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Infineon
• PG-TDSON-8-4
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 20 / 20 А
• 20 / 20 А
• 12.5 мОм
• 17.6 / 17.6 мОм
• 1 ... 2.2 V
• 26 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Fairchild
• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 V
• -2.9 / -2.9 А
• 95 / 95 мОм
• 0.142 / 0.142 Ом
• -1 ... -3 V
• -1.8 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Fairchild
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 8.6 / 6.3 А
• 11 / 20 мОм
• 13 / 25 мОм
• 1 ... 3 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Diodes Incorporated
• SOT23-6
• Биполярные NPN + PNP
• 60 V
• 80 V
• 1 А
• 7 V
• 180 MHz
• 1.1 Вт
• 100 - 300
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Alpha&Omega
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 8 / 8 А
• 6.5 / 6.5 А
• 20.5 / 20.5 мОм
• 28 / 28 мОм
• 1.2 ... 2.4 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Vbsemi
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 80 А
• 80 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 300 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 80 А

• International Rectifier
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 V
• 62 А
• 44 А
• 2 ... 4 V
• 91 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 42 А

• SILIUP
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 300 А
• 183 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 300 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 275 А

• International Rectifier
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 404 А
• 286 А
• 2.2 ... 3.9 V
• 366 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 195 А

• On Semiconductor
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 164 А
• 116 А
• 2.5 ... 4.5 V
• 3.5 V
• 375 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 120 А

• International Rectifier
• PQFN 5X6 mm
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 100 А
• 1.55 мОм
• 2.4 мОм
• 1.35 ... 2.35 V
• 1.8 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 100 А

• ST Microelectronics
• 8-PowerVDFN
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 7.8 / 7.8 А
• 5.5 / 5.5 А
• 22.5 / 22.5 мОм
• 30 / 30 мОм
• 1 ... 2.5 V
• 65 W

Примечание: Схема соединения: Независимые|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 20 / 20 А

• 0.05 A
• On Semiconductor
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные

• 23 A
• 4500/210
• 400 V
• Vbsemi
• TO-247AC
• THT
• Полевые N-канальные

• 160 A
• 6590/110
• 40 V
• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные

• Hottech

• 125
• 600 В
• 30 В
• On Semiconductor

• 294
• 150 В
• 30 В
• On Semiconductor

• Другое