Транзисторы для электронных компонентов. Страница 239

• TI

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 15 A
• 90 mOhm
• 50 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 830 pF / 50 V | Заряд затвора: 22.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NEC
• Биполярные PNP
• 2 A
• 1,35 Вт
• 20 V
• 32 V
• 5 V
• 140 МГц
• 100..250

• A&O
• Полевые P-канальные
• 21,5 A
• 34 A
• 60 В
• 31 W
• 25 В
• 95 A
• 21

• Mcc
• Биполярные NPN
• 1,5 A
• 0,3 Вт
• 25 V
• 40 V
• 5 V
• 100 МГц
• 120..350

• Полевые N-канальные
• NCE
• TOLL
• 300 А
• 220 A
• 1.7 мОм
• 3 V
• 2 ... 4 V
• 380 W

• AOS
• Полевые N-канальные
• SMD
• SOT23-3
• 20 V
• 6.5 A
• 22 mOhm
• 16 nC
• 8 V

• AOS
• Полевые N-канальные
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 1 A
• 630 mOhm
• 6 nC
• 20 V

• AOS
• Полевые N-канальные
• SMD
• SO8
• 40 V
• 6 A
• 19 mOhm
• 12 nC
• 20 V

• NCE
• TO247
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 V
• 18 А
• 12.6 А
• 0.165 Ом
• 3.5 ... 5 V
• 4.2 V
• 194 Вт

• TO-3P
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 20 V
• 16 А
• 10 А
• 2 ... 4 V
• 190 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TOKMAS
• TO-247-4L
• Полевые N-канальные
• 750 V
• 20 V
• 28 А
• 20.6 А
• 4 ... 6 V
• 4.8 V
• 155 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• SILIUP
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 V
• 235 А
• 2.5 ... 4.5 V
• 3.5 V
• 310 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 60 А
• 120 А
• 20 V
• 47 / 179 нс
• 378 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• SOT89
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 0,3 А
• 2 V
• 3.5 ГГц
• 1.3 Вт
• 90 - 180
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• MINOS
• TO-264
• Биполярные NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 200 Вт
• 8 - 80
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 20 V
• 81 А
• 57 А
• 4.2 мОм
• 6.7 мОм
• 1.35 ... 2.35 V
• 1.8 V
• 63 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Fairchild
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 1.9 А
• 1.14 А
• 2 ... 4 V
• 44 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Diodes Incorporated
• TO-92
• Полевые P-канальные
• 45 V
• 20 V
• -0.23 А
• -1 ... -3.5 V
• 0.7 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• PG-TDSON-8-4
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 20 / 20 А
• 20 / 20 А
• 12.5 мОм
• 17.6 / 17.6 мОм
• 1 ... 2.2 V
• 26 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• 1
• 240 В
• 20 В
• Infineon

• 10..50
• 3 A
• 40 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Cdil
• Биполярные PNP
• 3 МГц

• Infineon
• IGBT

• IGBT
• AOS