Транзисторы для электронных компонентов. Страница 241

• DIODES
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 8,5 A
• 21 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 767pF / 10V | Заряд затвора: 16.1 nC / 10 V

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 17 A
• 54 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 675 pF / 75 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 160 Вт
• 1.72 V
• 160 А
• нет
• 110 нс
• 34 нс

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 100

• Infineon
• TDSON-8
• 400 A
• Другое
• 60 В
• 20 В
• 83 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 100 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 83 | Полный заряд...

• Биполярные PNP

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 3 A
• 40 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 3 МГц
• 50

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,25 A
• 300 В
• 1 W
• 20В

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 11 A
• 7 A
• 1,75 V
• 58 Вт
• 9
• 12 А
• есть
• 120 нс
• SMD
• 5,1 А
• 27 нс
• 48 н

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 0,49 A
• 0,62 A
• 60 В
• 0,5 W
• 20 В
• 2,48 A
• 4

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 3 A
• 1 Вт
• 80 V
• 60 V
• 5 V
• 75 МГц
• 550

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,2 A
• 10 Вт
• 300 V
• 300 V
• 5 V
• 80 МГц
• 40..250

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 85 A
• 100 A
• 40 В
• 69 W
• 20 В
• 400 A
• 52

• Renesas
• IGBT
• 330 V
• 50 A
• 1,6 V
• 200 А

• Jcst
• Биполярные NPN
• 0,15 A
• 0,4 Вт
• 50 V
• 60 V
• 5 V
• 80 МГц
• 700

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 100 В
• 39 W
• 16 В
• 13,3

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 2 A
• 60 В
• 0,5 W
• 20 В
• 8 A

• Dc Components
• Биполярные PNP
• 3 A
• 2 Вт
• 60 V
• 80 V
• 7 V
• 140 МГц
• 300

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 6,2 A
• 9,8 A
• 200 В
• 40 W
• 20 В
• 39 A
• 70

• Nxp
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 30 V
• 30 V
• 5 V
• 100 МГц
• 420..800

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 50 V
• 50 V
• 5 V

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 11 A
• 40 В
• 1,4 W
• 20 В
• 50 A

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 61 A
• 1,6 V
• 319 Вт
• 249
• 150 А
• есть
• 215 нс
• 150 А
• 20 нс
• 194 н

• LG
• Биполярные NPN
• 0,15 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 60 V
• 5 V
• 80 МГц
• 70..700

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 13 A
• 20 A
• 500 В
• 278 W
• 20 В
• 62 A
• 170