Транзисторы для электронных компонентов. Страница 225

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 208 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время выключения: 238ns

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 203 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 48ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.65 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 483 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 185 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 30ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 10000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-225
• 80 V
• 4 А
• 80
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 2 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 2,5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 12

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• ISOWATT218
• 700 V
• 6 А
• 12
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 10 A
• 3 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 340 pF / 25 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D-Pak
• SMD
• Полевые P-канальные
• 250 V
• 20 В
• 2,7 A
• 3 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 220 pF / 25 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 20 В
• 1,7 A
• 3,6 Ohm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 170 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 30 В
• 83 A
• 15 mOhm
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 4530 pF / 25 V | Заряд затвора: 107 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 208 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V | Ёмкость затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,6 A
• 85 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 10 V | Заряд затвора: 10 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 18 A
• 200 mOhm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1055 pF / 100 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 10,2 A
• 14 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 897 pF / 15 V | Заряд затвора: 26 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 47 A
• 70 mOhm
• 417 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 8000 pF / 25 V | Заряд затвора: 270 nC / 10 V | Диапазон номинальных...