Транзисторы для электронных компонентов. Страница 226

• Huayi

• Huayi

• Fair
• I-Pak
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 30 В
• 9,4 A
• 185 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 550 pF / 25 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 18 A
• 4,4 mOhm
• 2.5 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 В
• 24 A
• 11 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 50 A
• 9 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 50 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• TSOP-6
• Другое
• 60 В
• 12 В
• 0.38 W
• SMD

Примечание: Тип канала и конфигурация: 2N | Напряжение пробоя сток-исток 2 канал (Ubrdss2), В: 28 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток 2...

• Texas Instruments
• VSON-8
• Другое
• 60 В
• 20 В
• 122 A
• 3.1 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 100 | Полный заряд затвора, нКл: 18 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Nexperia
• Биполярные PNP
• 80 V
• 60 V
• 7 V
• 3 A
• 0.65 Вт
• 130 МГц
• 150

Примечание: Комплементная пара: PBSS4360Z. | Маркирование на корпусе: P5360Z

• Texas Instruments
• VSON-8
• Другое
• 60 В
• 20 В
• 267 A
• 3.2 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 230 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 162 | Полный заряд...

• Nexperia
• SOT-23
• Другое
• 60 В
• 0.76 A
• 20 В
• 0.265 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 0.3 | Полный заряд затвора, нКл: 0.33 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Diotec
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,5 Вт
• 30 V
• 30 V
• 5 V
• 150 МГц
• 150

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 420..800

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 3,5 A
• 6 A
• 700 В
• 17,9 W
• 16 В
• 12,8 A
• 6,8

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 1,89 A
• 3 A
• 800 В
• 25 W
• 30 В
• 12 A
• 22,5

• Ixys
• IGBT
• 600 V
• 48 A
• 30 A
• 1,8 V
• 300 Вт
• 115
• 280 А
• есть
• 130 нс
• 22 нс
• 100 н

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 36 A
• 600 В
• 277 W
• 30 В
• 100 A
• 46

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 8 A
• 900 В
• 40 W
• 30 В
• 32 A
• 72

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 31 A
• 55 A
• 60 В
• 125 W
• 20 В
• 150 A
• 76

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,31 Вт
• 80 V
• 80 V
• 12 V
• 125 МГц
• 10000

• On Semiconductor
• IGBT
• 330 V
• 50 A
• 120 A
• 1,6 V
• 43 Вт
• 35
• 160 А
• нет
• 32 нс
• 9 нс

• Ixys
• IGBT
• 650 V
• 38 A
• 15 A
• 2,5 V
• 200 Вт
• 19
• 80 А
• есть
• 68 нс
• SMD
• 15 нс
• 110 н

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,25 Вт
• 5 V
• 0.08 A
• 30 ГГц

• Mcc
• Биполярные NPN
• 0,2 A
• 0,2 Вт
• 40 V
• 60 V
• 6 V
• 300 МГц
• 30..300