Транзисторы для электронных компонентов. Страница 224

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-247
• 200 V
• THT
• 50 A

• 250 MHz
• 300
• 0.1 A
• 40 V
• 40 V
• TO-92
• Биполярные PNP

• Sptech
• TO-3PN
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 10 А
• 5 V
• 125 Вт
• min 1000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92S
• Биполярные NPN
• 50 V
• 50 V
• 50 мА
• 250 MHz
• 0.3 Вт
• min 30
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Другое

• 2 W
• 30 В
• 20 В
• Infineon
• SO-8
• SMD
• Другое

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...

• Другое
• Umw

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 129ns

• Биполярные PNP
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 45 V
• 1 А
• 63
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 150 V
• 0,05 А
• 240
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Другое
• AD
• SO-8
• 40 V
• 0,02 А
• 550

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 80 V
• 0,1 А
• 60
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• ВЧ
• INFIN

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 450 V
• 5 А
• 25
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 125 V
• 1 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 125

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-3PF
• 750 V
• 10 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные PNP
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 10 V
• 2,5 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные PNP
• Kec
• THT
• TO-92-3
• 3 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 30