Транзисторы для электронных компонентов. Страница 224

• On Semiconductor
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 9.5 А
• 5.7 А
• 2 ... 4 V
• 156 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NCE
• TOLL
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 V
• 320 А
• 245 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 380 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NCE
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (typ)
• 183 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• LRC
• SOT-23
• Полевые N-канальные
• 50 V
• 20 V
• 0.2 А
• 3.5 Ом
• 6 Ом
• 0.5 ... 1.5 V
• 0.225 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT-23
• Биполярные NPN
• 50 V
• 50 V
• 50 мА
• 250 MHz
• 0.2 Вт
• min 30
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• TO-220
• IGBT + Diode
• 600 V
• 19 А
• 35 А
• 20 V
• 90 нс (typ)
• 156 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 182 А
• 129 А
• 2 ... 4 V
• 556 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 39 А
• 45 А
• 20 V
• 143 / 225 нс
• 187 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Hunteck
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 132 А
• 93 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 429 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Huayi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 160 А
• 113 А
• 2.5 мОм
• 3.7 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.1 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• FeiHong
• TO-3PN
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 40 А

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• DP
• TO-252
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 80 А
• 61 А
• 3.9 мОм
• 5.4 мОм
• 0.8 ... 1.8 V
• 1.3 V
• 75 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Crmicro
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 18 А
• 11 А
• 2 ... 4 V
• 42.8 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Alpha&Omega
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 27 А
• 17 А
• 2.5 ... 4 V
• 3.3 V
• 50 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-252-2L
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 120 А
• 72 А
• 2.7 мОм
• 3.4 мОм
• 1.1 ... 2.3 V
• 1.5 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 27.8
• 60 В
• 20 В
• BRIDGELUX

• 0.1 A
• 12 V
• TO-92
• SMD
• Биполярные NPN

• Другое

Примечание: Тип монтажа SMD | Тип канала N | Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В 80 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Ugs max),...

• IGBT

• 8..40
• 1,5 A
• 20 Вт
• 700 V
• 400 V
• 9 V
• ST Microelectronics
• Биполярные NPN

• Другое
• Jscj

• Другое
• TOS

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 200 А
• 1071 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 743 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 235 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 34ns | ...