Транзисторы для электронных компонентов. Страница 223

• Huayi

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• TO-252-2
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 90 A
• 4,9 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1963 pF / 15 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Полевые N-канальные
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,95 A
• 200 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 200 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 290 mOhm
• 101 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 870 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 3,5 A
• 6 A
• 20 В
• 2 W
• 8 В
• 24 A
• 4,5

• Diodes Incorporated
• Полевые N-канальные
• 2,2 A
• 2,8 A
• 20 В
• 0,66 W
• 12 В
• 12 A
• 2,8

• A&O
• Полевые P-канальные
• 21,5 A
• 34 A
• 60 В
• 31 W
• 25 В
• 95 A
• 21

• 30 W
• 40 В
• 20 В
• Vbsemi

• 180 A
• Crmicro
• TO-247
• 177 A
• 35 нс
• 84 нс
• 100 В
• 20 В
• 720 A
• 454 W
• 0,0031 Ohm

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Биполярные NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Другое

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 349 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 80 A
• 8 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 290 pF / 30 V | Заряд затвора: 90.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 4,3 A
• 45 mOhm
• 800 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 634 pF / 10 V | Заряд затвора: 6.8 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 23 A
• 24 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1170 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12,5 A
• 66 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 415 pF / 50 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Huayi
• TO-220
• Другое
• 100 В
• 20 В
• 610 A
• 300 W
• 27.3 нс
• 92.8 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 230 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 162 | Полный заряд...

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 269 A
• 75 В
• 375 W
• 20 В
• 285

• Биполярные PNP
• Infineon
• SOT-23
• 100 MHz
• 32 V
• 32 V
• 0.2 A
• 630