Транзисторы для электронных компонентов. Страница 200

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 150 A
• 4 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 609 pF / 30 V | Заряд затвора: 130.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 5,3 A
• 85 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 90 pF / 20 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220FULLPACK
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 6 A
• 900 mOhm
• 39 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 785 pF / 100 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 21 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 15 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 350..470
• 2 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Nexperia
• Биполярные NPN
• 230 МГц

• 25 A
• 100 V
• 100 V
• ST Microelectronics
• TO-218
• THT
• Биполярные NPN

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 200 V
• 2 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 220

• IGBT
• Ir
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 39 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 19.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns |...

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 4,9 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4810 pF / 50 V | Заряд затвора: 62 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 28,4 A
• 160 mOhm
• 310 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5600 pF / 25 V | Заряд затвора: 140 nC / 12 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 70 A
• 36 mOhm
• 488 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 3mA | Ёмкость затвора: 263 pF / 50 V | Заряд затвора: 102 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• SMD
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 6 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7900 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 80 A
• 8,5 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 290 pF / 30 V | Заряд затвора: 90 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IPS

• Fair
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6,5 A
• 1,25 Ohm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 730 pF / 25 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 220 A
• 2,9 mOhm
• 254 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 7830 pF / 30 V | Заряд затвора: 183 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 207 A
• 3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Apec
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 4,7 A
• 28 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 4.5 V

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 В
• 34 A
• 7,8 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2830 pF / 15 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 34 A
• 6,2 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1650 pF / 30 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

Примечание: 2N3904 NPN 60V 0,2A 10 шт. | 2N3906 PNP 40V 0,2A 10 шт. | BC337-40 NPN 50V 0,8A 10 шт. | BC327-40 PNP 50V 0,8A 10 шт. | SS8050 NPN 40V...