Транзисторы для электронных компонентов. Страница 198

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время выключения: 4.8us

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 75 А
• 395 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 164 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.42 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 6 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-126
• 45 V
• 4 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные NPN
• Semtech
• THT
• TO-92-3
• 65 V
• 0,1 А
• 270
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 15 V
• 0,12 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 60 V
• 5 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• 800 V
• 6 А
• 10
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 60 A
• 6 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 430 pF / 10 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 20 В
• 10 A
• 550 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V | Заряд затвора: 63 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 14 A
• 450 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1910 pF / 25 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 180 A
• 2 mOhm
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 9000 pF / 20 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 13 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1480 pF / 30 V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 16,5 mOhm
• 118 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1670 pF / 50 V | Заряд затвора: 22.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 2,5 A
• 4,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 485 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...