Транзисторы для электронных компонентов. Страница 201

• 0.6 А
• 160 V
• 150 V
• Jsmsemi
• TO-92
• Биполярные PNP

• Биполярные NPN

• 100 MHz
• 250
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Биполярные PNP

• 120 MHz
• 320
• 2 A
• 30 V
• 30 V
• Биполярные PNP

• IGBT

Примечание: Производитель: Alfa@Omega | Корпус: PG-TO247-3 | Vces: 600 V | Vce: 1,8 V | Ic 25: 70 A | Ic 100: 40 A | Pd 25: 290 W | td(on)/td(off)...

• 150 MHz
• 270
• 0.1 A
• 30 V
• 30 V
• On
• SOT-23
• Биполярные PNP

Примечание: Производитель: ON | Корпус: SOT-23 | fT: 150 MHz | Uке, В: 30 V | Uкб, В: 30 V |

• 7.7 A
• 14.3 A
• 34 W
• 1.66 V
• 600 V
• Ir
• TO-220
• IGBT

• 5 A
• 60 V
• APE
• THT
• Полевые N-канальные

• 15 V
• Nxp
• SOT-23
• ВЧ
• 5 GHz

• 3.8 A
• 800 V
• ST
• THT
• Полевые N-канальные

• 1.4 A
• 1000 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 3,7 A
• 5,8 A
• 600 В
• 55 W
• 30 В
• 23 A
• 42

• A&O
• Полевые P-канальные
• 9 A
• 12 A
• 40 В
• 3,1 W
• 20 В
• 120 A
• 42

• NEC
• Биполярные PNP
• 1 A
• 1,3 Вт
• 80 V
• 100 V
• 5 V
• 50 МГц
• 63..250

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 16 A
• 600 В
• 30 W
• 30 В
• 64 A
• 44

• A&O
• Полевые N-канальные
• 36 A
• 51 A
• 100 В
• 150 W
• 25 В
• 100 A
• 42

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 30 A
• 200 Вт
• 90 V
• 100 V
• 4 V
• 2 МГц
• 25..100

• Niko-Sem
• Полевые N-канальные
• 35 A
• 50 A
• 25 В
• 50 W
• 20 В
• 200 A
• 25

• Ixys
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 100 В
• 230 W
• 20 В
• 220 A
• 60

• Diodes Incorporated
• Полевые N-канальные
• 0,45 A
• 0,63 A
• 20 В
• 0,28 W
• 6 В
• 6 A
• 0,62

• Huayi
• Полевые N-канальные
• 84,8 A
• 120 A
• 100 В
• 187,5 W
• 20 В
• 360 A
• 70

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 13,2 A
• 22 A
• 500 В
• 312,5 W
• 30 В
• 88 A
• 49

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 10,1 A
• 16 A
• 400 В
• 170 W
• 20 В
• 64 A
• 45

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 12,7 A
• 20 A
• 650 В
• 151 W
• 20 В
• 57 A
• 37