Транзисторы для электронных компонентов. Страница 201

• A&O
• Полевые P-канальные
• 21,5 A
• 34 A
• 60 В
• 31 W
• 25 В
• 95 A
• 21

• NEC
• Полевые P-канальные
• 4,3 A
• 20 В
• 0,48 W
• 12 В

• Другое

• Биполярные NPN
• Yangjie
• TO-92
• 150 MHz
• 25 V
• 40 V
• 0.8 A
• 300
• THT

• Другое

Примечание: Тип монтажа SMD | Тип канала N | Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В 100 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Ugs...

• 160..400
• 0,07 A
• 0,16 Вт
• 13 V
• 4 V
• 1,2 V
• Infineon
• Биполярные NPN
• 44000 МГц

• 110..220
• 0,1 A
• 0,38 Вт
• 50 V
• 45 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• Diotec
• Другое

• 2 W
• 30 В
• 20 В
• Infineon
• SO-8
• SMD
• Другое

• IGBT
• Не указан

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 30 А
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns |...

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,2 А
• 210
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 416 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 28А

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.21 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 12 V
• 0,05 А
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 24

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 30 А
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 81 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 24.5ns |...

• IGBT
• INFIN