Транзисторы для электронных компонентов. Страница 202

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 100
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 140 А
• 556 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 27 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 900ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 99 А
• 350 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 380 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 13 А
• 60 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 27 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 39ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Nxp
• THT
• SOT199
• 800 V
• 12 А
• 13
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 1.2 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Другое
• MIT

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• SP-8
• 60 V
• 7 А
• 30000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Panasonic
• THT
• SOT-23
• 0,5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 36

• Биполярные PNP
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 80 V
• 6 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Kec
• THT
• TO-92-3
• 3 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,05 А
• 1200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Другое
• ST
• DIP-16
• 50 V
• 0,5А

• ВЧ
• BROADCOM

• Не указан
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 100 A
• 0,003 Ohm
• 235 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1525 pF / 15 V | Заряд затвора: 103 nC / 4.5 V

• Не указан
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 22 A
• 160 mOhm
• 390 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 1.5mA | Ёмкость затвора: 2310 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 25 A
• 50 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 350 pF / 30 V | Заряд затвора: 18.7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 45 A
• 17 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 399 pF / 50 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 12 A
• 380 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 937 pF / 100 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 20 В
• 1,7 A
• 3,6 Ohm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 170 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,37 Ohm
• 417 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3680 pF / 25 V | Заряд затвора: 74 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5 A
• 190 mOhm
• 20 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 630 pF / 10 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V