Транзисторы для электронных компонентов. Страница 15

• Vishay Intertechnology, Inc.
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 15 А
• 9.6 А
• 2 ... 4 V
• 34 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Umw
• SOT-23
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 V
• -3.7 А
• -2.2 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -0.95 V
• 80 мОм
• -0.55 V
• 1.3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Umw
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 50 А
• 33 А
• 12 мОм
• 16 Ом
• 1 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TooHong Korea
• TO-220
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 V
• -24 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -1 V
• 75 мОм
• -0.7 V
• 60 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3
• Биполярные NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN
• 250 V
• 250 V
• 8 А
• 5 V
• 30 MHz
• 50 Вт
• min 10
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Si-Tech
• TO-263
• Полевые N-канальные
• 68 V
• 25 V
• 80 А
• 65 А
• 2.5 ... 3.5 V
• 176 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• REASUNOS
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 V
• 8 А
• 3 ... 4 V
• 30 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 V
• 6 А
• 3.8 А
• 3 ... 5 V
• 167 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• 8-PQFN (5x6)
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 100 А
• 2 ... 4 V
• 104 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NXP Semiconductors
• SOT223
• Биполярные PNP
• 20 V
• 32 V
• 2 А
• 5 V
• 140 MHz
• 1.35 Вт
• 160 - 375
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NCE
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (typ)
• 35.5 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• MP
• TO-247
• IGBT + Diode
• 650 V
• 50 А
• 80 А
• 20 V
• 105 / 150 нс
• 300 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-3PB
• Биполярные NPN
• 400 V
• 700 V
• 15 А
• 9 V
• 4 MHz
• 120 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jilin Sino-Microelectronics.
• I-Pak
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 1.9 А
• 1.1 А
• 2 ... 4 V
• 44 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Биполярные NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92
• Биполярные PNP
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1 Вт
• 160 - 300
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Биполярные NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-126
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 90 MHz
• 1.25 Вт
• 160 - 320
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.5 Вт
• 120 - 240
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT-23
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 0.17 А
• 6 Ом
• 10 Ом
• 1 ... 2.8 V
• 0.35 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 V
• 9.4 А
• 6.7 А
• 3 ... 5.5 V
• 86 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный