Транзисторы для электронных компонентов. Страница 15

• 120 A
• Crmicro
• TO-220
• 116 A
• 48 нс
• 75 нс
• 100 В
• 20 В
• 480 A
• 227 W
• 0,0033 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 177

• Crmicro
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 100 А
• 100 А
• 20 V
• 428 W

Примечание: Схема соединения: Полумост

• TO-92
• Биполярные NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,1 А
• 5 V
• 150 MHz
• 0.45 Вт
• 200 - 600
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Umw
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 50 А
• 33 А
• 12 мОм
• 16 Ом
• 1 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TooHong Korea
• TO-220
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 V
• -24 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -1 V
• 75 мОм
• -0.7 V
• 60 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 400 V
• 50 V
• 25 А
• 7 V
• 20 MHz
• 160 Вт
• min 10
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3
• Биполярные NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN
• 250 V
• 250 V
• 8 А
• 5 V
• 30 MHz
• 50 Вт
• min 10
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Si-Tech
• TO-263
• Полевые N-канальные
• 68 V
• 25 V
• 80 А
• 65 А
• 2.5 ... 3.5 V
• 176 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Si-Tech
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 70 V
• 25 V
• 90 А
• 57 А
• 2.4 ... 3.6 V
• 3 V
• 127 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Silan
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 2 А
• 1.3 А
• 2 ... 4 V
• 23 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• 8-PQFN (5x6)
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 100 А
• 2 ... 4 V
• 104 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NXP Semiconductors
• SOT223
• Биполярные PNP
• 20 V
• 32 V
• 2 А
• 5 V
• 140 MHz
• 1.35 Вт
• 160 - 375
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NCE
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (typ)
• 35.5 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-3PB
• Биполярные NPN
• 400 V
• 700 V
• 15 А
• 9 V
• 4 MHz
• 120 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 4 MHz
• 75 Вт
• min 5
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jilin Sino-Microelectronics.
• I-Pak
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 1.9 А
• 1.1 А
• 2 ... 4 V
• 44 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.5 Вт
• 120 - 240
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT-23
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 0.17 А
• 6 Ом
• 10 Ом
• 1 ... 2.8 V
• 0.35 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 V
• 9.4 А
• 6.7 А
• 3 ... 5.5 V
• 86 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• D2PAK
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 V
• -23 А
• -14 А
• -2 ... -4 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 41 / 176 нс
• 166 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный