Транзисторы для электронных компонентов. Страница 16

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-200AB
• 80 V
• 10 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,5 А
• 600
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 160 V
• 1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Не указан
• DFN-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 25 A
• 11 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 150 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 10,6 mOhm
• 34 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 917 pF / 20 V | Заряд затвора: 23.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 2,3 A
• 120 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 285 pF / 10 V | Заряд затвора: 2.9 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 9 A
• 400 mOhm
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 200 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1,5 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 140 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8 A
• 850 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1018 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V | Ёмкость затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 0,127 Ohm
• 105 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 3 A
• 80 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 240 pF / 25 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,6 A
• 85 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 10 V | Заряд затвора: 10 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Umw

• TOS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 2200 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...