Транзисторы для электронных компонентов. Страница 16

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 30 А
• 60 А
• 20 V
• 349 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 310 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 15 А
• 30 А
• 25 А
• 20 V
• 300 / 460 нс
• 235 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 180 А
• 127 А
• 2 ... 4 V
• 375 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Fairchild
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 4 А
• 2.4 А
• 3 ... 5 V
• 28 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Crmicro
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 V
• 31 А
• 20 А
• 2.9 ... 4.9 V
• 26 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• MT
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -5 А
• 20 / 30 мОм
• 28 / 48 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.5 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• 100 MHz
• 0.8 A
• 50 V
• 45 V
• Lge
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• 100 MHz
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• Биполярные PNP

• 100 MHz
• 120
• 1.5 A
• 40 V
• 25 V
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Биполярные NPN

• 200 А
• 50 A
• 100 A
• 437 Вт
• Jsmicro
• 20.2 н
• 35 нс
• 134 нс
• есть
• IGBT

• Другое

• Infineon
• Другое

• 120..260
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 100 МГц

• 300
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Luguang Electronic
• Биполярные PNP
• 200 МГц

• On Semiconductor
• Другое

• Другое

• 0.2 A
• 0.3 Вт
• 180 V
• 160 V
• 6 V
• Diotec
• Биполярные 2NPN
• 300 МГц

• 250..600
• 0,5 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 80 МГц

• Diotec
• Другое

• 100..250
• 1.5 A
• 12,5 Вт
• 45 V
• 45 V
• 5 V
• Биполярные PNP
• 50 МГц

• 3 MHz
• 2.0 А
• 100 V
• 80 V
• TO-126
• THT
• Биполярные NPN

• 110
• 40 В
• 20 В
• ST Microelectronics

• 3.8
• 100 В
• 20 В
• On Semiconductor