Транзисторы для электронных компонентов. Страница 18

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 1,7 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2994 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 4,6 mOhm
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2300 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12,5 A
• 66 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 415 pF / 50 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• 220 A
• 66 W
• 80 В
• 20 В
• Infineon
• TDSON-8
• SMD
• Другое

• 70 MHz
• 3
• 60 V
• 50 V
• Cj
• TO-252
• Биполярные PNP

• 0.8 А
• 75 V
• 40 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• 40 A
• 80 A
• 160 А
• 383 Вт
• 1.7 V
• ST Microelectronics
• 140 нс
• 141 нс
• TO-3P
• IGBT

Примечание: Single Retriggerable Monostable Multivibrator With Schmitt-Trigger Inputs

• Другое

• Другое

• Jcst
• 0.05 A
• 30 V
• 15 V
• SOT-23
• Биполярные NPN

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 120 V
• 100 V
• 7 V
• 2 A
• 2 Вт
• 175 МГц
• 300

Примечание: Маркировка на корпусе: FTZ653

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• есть
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• Mcc
• Биполярные NPN
• 40 V
• 25 V
• 5 V
• 1.5 A
• 0.625 Вт
• 100 МГц
• 120..350

Примечание: Маркировка на корпусе: Y1

• Vishay
• HVMDIP
• Другое
• 60 В
• 8.8 A
• 20 В
• 1.3 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 1.1 | Полный заряд затвора, нКл: 12 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 60 В
• 16 В
• 29 W
• 6 нс
• 15 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 25 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 17 | Полный заряд...

• Infineon
• TO-220
• Другое
• 650 В
• 68 A
• 20 В
• THT

Примечание: Маркировка на корпусе: 6R160P6 | Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 23.8 | Максимальный ток сток-исток при...

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 400 V
• 200 V
• 6 V
• 7 A
• 60 Вт
• 10 МГц
• 15

• On Semiconductor
• SOT-23
• Другое
• 30 В
• 10 A
• 8 В
• 0.5 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 2.2 | Полный заряд затвора, нКл: 7 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Nexperia
• Биполярные PNP
• 100 V
• 80 V
• 5 V
• 1 A
• 1.8 Вт
• 140 МГц
• 63..250

• TO-220
• Другое
• 100 В
• 640 A
• 20 В
• 245 W
• 25 нс
• 52 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 160 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 120 | Полный...

• Huayi
• TO-220
• Другое
• 100 В
• 20 В
• 610 A
• 300 W
• 27.3 нс
• 92.8 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 230 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 162 | Полный заряд...

• TO-220
• Другое
• 40 В
• 400 A
• 20 В
• 210 W
• 12 нс
• 48 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 150 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 106 | Полный...