Транзисторы для электронных компонентов. Страница 19

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• Infineon
• T0-263
• Другое
• 100 В
• 2 В
• 110 A
• 130 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 33 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 23 | Полный заряд...

• A&O
• TO-220FP
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 45 Вт
• 1.7 V
• 60 А
• есть
• 60 А
• 122 нс
• 26 нс
• 322 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 46

• Биполярные NPN

Примечание: 10 шт.

• 100
• 1.5 A
• 800 V
• ST
• SOT-32
• Биполярные NPN

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

• Другое

• 100 MHz
• 250
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Биполярные PNP

• Биполярные PNP

• 70 A
• 75 V
• TO-220
• Полевые N-канальные

• Mcc
• Биполярные PNP
• 1,5 A
• 0,625 Вт
• 25 V
• 40 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..350

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 2,6 A
• 20 В
• 1,3 W
• 12 В
• 2,9

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 60 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 23

• Diodes Incorporated
• Полевые N-канальные
• 4,9 A
• 6,2 A
• 30 В
• 0,9 W
• 20 В
• 44 A
• 18,4

• Cdil
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,35 Вт
• 30 V
• 45 V
• 6 V
• 140 МГц
• 450..900

• A&O
• Полевые P-канальные
• 12 A
• 12 A
• 40 В
• 50 W
• 20 В
• 30 A
• 13,8

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 6 A
• 20 В
• 1,4 W
• 12 В
• 30 A
• 12,5

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 1,5 A
• 1,6 Вт
• 400 V
• 700 V
• 12 V
• 16..32

• Diotec
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,625 Вт
• 300 V
• 300 V
• 6 V
• 50 МГц
• 40

• A&O
• Полевые P-канальные
• 9 A
• 12 A
• 40 В
• 3,1 W
• 20 В
• 120 A
• 42

• A&O
• Полевые N-канальные
• 23 A
• 30 A
• 30 В
• 25 W
• 25 В
• 100 A
• 13,5

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 25 A
• 500 В
• 297 W
• 30 В
• 100 A
• 67

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 2,2 V
• 321 Вт
• 179
• 180 А
• есть
• 193 нс
• 36 нс
• 38 н