Транзисторы для электронных компонентов. Страница 19

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,5 А
• 200

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,5 А
• 600
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Другое
• MIT

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.13 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 160 V
• 1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.33 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Не указан
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 90 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 90 A
• 7,2 mOhm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 30 V | Заряд затвора: 102 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 10,6 mOhm
• 34 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 917 pF / 20 V | Заряд затвора: 23.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Wolfspeed
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 1700 V
• 25 В
• 4,9 A
• 1,1 Ohm
• 69 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 500µA | Ёмкость затвора: 191 pF / 1000 V | Заряд затвора: 13 nC / 20 V

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 2,3 A
• 120 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 285 pF / 10 V | Заряд затвора: 2.9 nC / 10 V | Диапазон номинальных...