Транзисторы для электронных компонентов. Страница 25

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 В
• 24 A
• 16,5 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1180 pF / 15 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1835 pF / 15 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 21 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 15 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 23 A
• 24 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1170 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Другое
• 30 V
• 16 A
• 14 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10V

• 58 A
• 41.7 W
• 100 В
• 20 В
• Wayon

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 420..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 0,225 W
• On Semiconductor
• Другое

• 0.6 А
• 60 V
• 40 V
• Cj
• TO-92
• Биполярные PNP

• 143
• 60 В
• 16 В
• Infineon
• Другое

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• Infineon
• TDSON-8
• Другое
• 40 В
• 2 В
• 392 A
• 52 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 98 | Полный заряд затвора, нКл: 25 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• A&O
• DFN5X6
• Другое
• 30 В
• 260 A
• 20 В
• 50 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 130 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 83 |...

• Infineon
• TO-220
• Другое
• 650 В
• 68 A
• 20 В
• THT

Примечание: Маркировка на корпусе: 6R160P6 | Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 23.8 | Максимальный ток сток-исток при...

• Wayon
• Другое
• 150 В
• 540 A
• 20 В
• 365W
• 26 нс
• 39 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 161 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 115 | Полный...

• On Semiconductor
• TO-220
• Другое
• 50 В
• 120 A
• 20 В
• 75 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 30 | Сопротивление сток-исток при 10V (Rdson), Ом: 0.04

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 400 V
• 200 V
• 6 V
• 7 A
• 60 Вт
• 10 МГц
• 15

• TO-220
• Другое
• 85 В
• 480 A
• 20 В
• 220 W
• 30.5 нс
• 95 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 160 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 112 | Полный...

• Hooyi
• TO-220
• Другое
• 70 В
• 320 A
• 25 В
• 178 W
• THT
• 21 нс
• 25 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 80: | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 65 | Полный...

• Cdil
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 0.2 A
• 0.3 Вт
• 50 МГц
• 120..220

• Infineon
• T0-263
• Другое
• 100 В
• 2 В
• 110 A
• 130 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 33 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 23 | Полный заряд...

• TO-220F
• Другое
• 250 В
• 400 A
• 20 В
• 45 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 25 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 17.5 | Полный...