Транзисторы для электронных компонентов. Страница 25

• Cdil
• 4.0 А
• 32 V
• 32 V
• TO-126
• THT
• Биполярные NPN

• 8..40
• 1,5 A
• 20 Вт
• 700 V
• 400 V
• 9 V
• ST Microelectronics
• Биполярные NPN

• 2 W
• 30 В
• 20 В
• Infineon
• SO-8
• SMD
• Другое

• Другое

• 25 A
• 100 V
• 100 V
• ST Microelectronics
• TO-218
• THT
• Биполярные NPN

• 1000
• 2 A
• 3 Вт
• 160 V
• 140 V
• 10 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 250 МГц

• Другое
• Jscj

• Другое
• Sptech

• Другое
• Diotec

• Другое
• ONS

• IGBT
• INFIN

• Другое
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Другое
• TOS

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• MASPOWER

• Биполярные PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• Silan Microelectronics

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• AOS

• Биполярные NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 150 А
• 833 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 450 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...