Транзисторы для электронных компонентов. Страница 27

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247-3L
• 600 V
• 120 А
• 321 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 179 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 36ns | ...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 592 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 180ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 36ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 166 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 0.14 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 26ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 138 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.12 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 103ns...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 570 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 222 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 30 А
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 44 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 14 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 12 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• SMD
• D2PAK
• 236 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 29ns | Время выключения: 46ns

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns |...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 428 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 74ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 357 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 341 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 65ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 530 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...