Транзисторы для электронных компонентов. Страница 244

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 32 A
• 13,5 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1450 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 417
• 500 В
• 30 В
• ST
• Другое

• On Semiconductor
• TO-252
• Другое
• 60 В
• 50 A
• 20 В
• 65 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 15.5 | Полный заряд затвора, нКл: 15 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Infineon
• TO-252
• Другое
• 30 В
• 210 A
• 20 В
• SMD

Примечание: Маркировка на корпусе: 135N03L: | Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 36 | Максимальный ток сток-исток при...

• 3.5 A
• 200 V
• Ir
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 12,9 A
• 20 A
• 500 В
• 250 W
• 30 В
• 80 A
• 50

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 250 МГц
• 420..800

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 3 A
• 40 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 3 МГц
• 50

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 0,49 A
• 0,62 A
• 60 В
• 0,5 W
• 20 В
• 2,48 A
• 4

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 17 A
• 150 В
• 80 W
• 20 В
• 13

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,2 A
• 10 Вт
• 300 V
• 300 V
• 5 V
• 80 МГц
• 40..250

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 1,3 A
• 2 A
• 800 В
• 45 W
• 30 В
• 8 A
• 5

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 85 A
• 100 A
• 40 В
• 69 W
• 20 В
• 400 A
• 52

• Toshiba
• Другое
• 0,15 W

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 16 A
• 26 A
• 650 В
• 95 W
• 20 В
• 78 A
• 36

• On Semiconductor
• Другое
• 0,625 W

• Microchip
• Полевые N-канальные
• 0,175 A
• 300 В
• 0,74 W
• 20 В
• 0,5 A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 7,5 A
• 10 A
• 30 В
• 3,1 W
• 20 В
• 50 A
• 13

• Toshiba
• Биполярные NPN
• 15 A
• 150 Вт
• 230 V
• 230 V
• 5 V
• 30 МГц
• 160

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 5,1 A
• 6 A
• 20 В
• 2,1 W
• 8 В
• 20 A
• 12

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 100 В
• 39 W
• 16 В
• 13,3

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 6,2 A
• 9,8 A
• 200 В
• 40 W
• 20 В
• 39 A
• 70

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 11 A
• 40 В
• 1,4 W
• 20 В
• 50 A

• LG
• Биполярные NPN
• 0,15 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 60 V
• 5 V
• 80 МГц
• 70..700