Транзисторы для электронных компонентов. Страница 133

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 85 A
• 4,3 mOhm
• 75 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1075pF / 15V | Заряд затвора: 65nC / 4.5V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 17 A
• 6,2 mOhm
• 21 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1540pF / 15V | Заряд затвора: 45nC / 10V | Диапазон номинальных...

• 160..400
• 0,8 A
• 0,625 Вт
• 45 V
• 50 V
• Diotec
• Биполярные PNP
• 100 МГц

• 25..75
• 16 A
• 200 Вт
• 400 V
• 250 V
• 5 V
• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 4 МГц

• 20..50
• 0,035 A
• 0,3 Вт
• 12 V
• 15 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 5000 МГц

• 220 A
• 66 W
• 80 В
• 20 В
• Infineon
• TDSON-8
• SMD
• Другое

• 250
• 1 A
• 1 Вт
• 100 V
• 80 V
• 6 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 2 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные PNP
• 150 МГц

• 70 MHz
• 3
• 60 V
• 50 V
• Cj
• TO-252
• Биполярные PNP

• Infineon
• Другое

• 10
• 1 A
• 0,9 Вт
• 160 V
• 160 V
• 6 V
• Fairchild
• Биполярные PNP
• 50 МГц

• 160 А
• 100 A
• 160 А
• 480 Вт
• 1,75 V
• 1200 V
• Infineon
• 33 нс
• 314 нс
• есть
• IGBT

• 110..450
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Nexperia
• Биполярные NPN
• 100 МГц

• Другое

• Другое

• 40 A
• 80 A
• 160 А
• 383 Вт
• 1.7 V
• ST Microelectronics
• 140 нс
• 141 нс
• TO-3P
• IGBT

Примечание: Single Retriggerable Monostable Multivibrator With Schmitt-Trigger Inputs

• Другое

• 3 A
• 58 A
• 88 A
• 300 W
• 20
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• Полевые N-канальные

• Другое

• 0.1 A
• 50 V
• 50 V
• SOT-323
• Биполярные NPN

• 1.5 A
• 100 V
• 80 V
• Jsmsemi
• TO-126
• Биполярные PNP

• Другое

• 140
• 600 В
• 30 В
• ST
• Другое

• 140
• 150 В
• 30 В
• Infineon
• Другое