Транзисторы для электронных компонентов. Страница 104

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1835 pF / 15 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 21 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 15 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 40 A
• 6 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 20 A
• 5,3 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 3300 pF / 10 V | Заряд затвора: 45 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 50 A
• 9 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 50 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 32 A
• 13,5 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1450 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 23 A
• 24 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1170 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 85 A
• 4,3 mOhm
• 75 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1075pF / 15V | Заряд затвора: 65nC / 4.5V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 17 A
• 6,2 mOhm
• 21 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1540pF / 15V | Заряд затвора: 45nC / 10V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Другое
• 30 V
• 16 A
• 14 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10V

• 48 A
• 25 W
• 30 В
• 25 В
• ST

• 160..400
• 0,8 A
• 0,625 Вт
• 45 V
• 50 V
• Diotec
• Биполярные PNP
• 100 МГц

• 184 A
• 70 W
• 30 В
• 20 В
• ST
• TO-252
• SMD
• Другое

• 25..75
• 16 A
• 200 Вт
• 400 V
• 250 V
• 5 V
• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 4 МГц

• 57 A
• 2.4 W
• 30 В
• 10 В
• Texas Instruments
• SON (2x2)
• SMD
• Другое

• 20..50
• 0,035 A
• 0,3 Вт
• 12 V
• 15 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 5000 МГц

• 220 A
• 66 W
• 80 В
• 20 В
• Infineon
• TDSON-8
• SMD
• Другое

• 250
• 1 A
• 1 Вт
• 100 V
• 80 V
• 6 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 2 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные PNP
• 150 МГц

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 0.1 А
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• 0.8 А
• 75 V
• 40 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Infineon
• Другое