Транзисторы для электронных компонентов. Страница 83

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 10 А
• 20 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 60 V
• 10 А
• 20 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 60 V
• 8 А
• 75 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 10 А
• 80 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92
• 30 V
• 1 А
• 0,625 W
• 30000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,3 А
• 0,35 W
• 10000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,3 А
• 0,35 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3
• 140 V
• 16 А
• 40
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.4 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 15ns | ...

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.58 | Время выключения: 4.8us

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 34.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 22.5ns...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...

• Другое
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 70 V
• 0,1 А
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT883
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 8
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92-3FORM
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 150 V
• 1,5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Другое
• ST
• THT
• DIP-16
• 80 V
• 1,75 А
• -20...+85°C

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 300