Транзисторы для электронных компонентов. Страница 80

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 60 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 115 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 35 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 30ns | Время выключения: 175ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 96 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 13.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 12ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 650ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 24 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.8 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 45 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 167 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 23ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247AD
• 1200 V
• 21 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 170 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 36ns | ...

• IGBT
• Fair
• SMD
• SO8
• 2,5 W
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• Panasonic
• THT
• M-A1
• 50 V
• 0,1 А
• 460
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 80 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 2 А
• 1000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• China
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,5 А

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 600
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,5 А
• 200

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 160 V
• 0,3 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 180

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60